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ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】
項目
ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】
意味
〔molecular beam epitaxy〕超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ,目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE 。